7月14日消息，据彭博社报道，SK海力士已经向英伟达批量交付12层HBM4，并推动产能爬坡。
此次交付的HBM4，是SK海力士首次以最终规格向英伟达交付的产品，并已完成英伟达下一代AI平台Vera Rubin的质量认证。
据悉，SK海力士将从今年9月起进一步扩大HBM4出货规模，以满足英伟达高端AI计算芯片的供应需求。
图源：sk海力士
HBM，也就是高带宽内存，是一种垂直堆叠式DRAM。通常通过硅中介层或先进封装方式，与GPU、AI加速器紧密连接，从而提供远高于传统服务器内存的带宽。
简单来说，GPU负责计算，HBM负责把数据高速喂给GPU。
HBM会不断迭代，每一代都围绕更高带宽、更大容量和更低功耗升级。
目前主流AI平台大量使用的是HBM3E，主要服务于英伟达Blackwell系列GPU。
以12层HBM3E为例，单颗容量最高可达36GB，单引脚传输速度约9.2Gbps至9.8Gbps，单堆栈带宽可达约1.2TB/s至1.28TB/s。
而HBM4面向下一代AI平台，尤其是英伟达Vera Rubin架构。
图源：TrendForce
与上一代相比，HBM4最大的变化之一，是I/O数量提升到2048个，数据通道更宽，带宽实现翻倍。
SK海力士此前表示，HBM4能效较上一代提升超过40%，应用后AI服务性能最高可提升约69%。
同时，SK海力士HBM4运行速度超过10Gbps，明显高于JEDEC标准的8Gbps。
从平台来看，英伟达Vera Rubin GPU预计最高可搭载288GB HBM4显存；AMD Instinct MI455则有望搭载更高容量，最高可达432GB。
与此同时，SK海力士也在扩充下一代DRAM产能。
图源：电子时报
据相关报道，SK海力士已开始为位于韩国龙仁的Y1晶圆厂采购先进DRAM制造设备。初步规划显示，该厂初期月产能约为2万片晶圆。
SK海力士计划将Y1一期投产时间从原定明年5月提前至明年2月。公司将从明年2月开始建设试生产线，并在3月至4月进行大规模设备安装。
这座晶圆厂的目标，是生产第六代10纳米级1c DRAM。相关产品将用于AI服务器DDR、LPDDR产品，并计划服务于下一代HBM4E。
消息数据来源：彭博社、TrendForce、binance
