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HL-SMA-KFD0.38 射频单芯玻璃绝缘子(玻珠)用射频连接器,适配φ0.38mm针,孔深≤2.0mm 射频(RF)玻璃烧结绝缘子专用测试级SMA型2孔法兰安装,射频连接器。频率范围DC~18GHz,阻抗50Ω,驻波比≤1.2,工作温度-45℃~+85℃。 了解详情
HLCC100050A 电容量1000pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.76*0.76*0.152,高性能、双面留边型 电容量1000pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.76*0.76*0.152,高性能、双面留边型 了解详情
HLCC10100G 电容量10±10%,耐压100V,-55℃~+125℃,尺寸0.25*0.25*0.12,高性能、单面留边型 电容量10±10%,耐压100V,-55℃~+125℃,尺寸0.25*0.25*0.12,高性能、单面留边型 了解详情
HLCC10050G 电容量100±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.38*0.38*0.15,高性能、单面留边型 电容量100±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.38*0.38*0.15,高性能、单面留边型芯片电容器 了解详情
HLCC2250G 电容量22pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.38*0.38*0.15,高性能、单面留边型 电容量22pF±20%,耐压50V,-55℃~+125℃,尺寸0.38*0.38*0.15,高性能、单面留边型芯片电容器 了解详情
HLA4810200R 48nH±20%,1GHz~10GHz,200mA,宽带,空心电感 频率范围:1GHz~10GHz, 电感量:48nH±20%, 最大电流:200mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLA1720500R 17nH±20%,3GHz~20GHz,500mA,宽带,空心电感 频率范围:3GHz~20GHz, 电感量:17nH±20%, 最大电流:500mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLA1420500R 14nH±20%,3.4GHz~20GHz,500mA,宽带,空心电感 频率范围:3.4GHz~40GHz, 电感量:14nH±20%, 最大电流:500mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLA1120500R 11nH±20%,4GHz~20GHz,500mA,宽带,空心电感 频率范围:4GHz~40GHz, 电感量:11nH±20%, 最大电流:500mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HL-ZLC-JYS ZLC型,公头,同轴旋转自锁紧连接器 ZLC型,公头,同轴旋转自锁紧连接器,适用于连接涡流传感器探头与信号处理单元;传感器与检测设备之间传输高频信号;也可用于连接测试仪器,如阻抗分析仪或网络分析仪。 了解详情
HL-ZLC-KYS ZLC型,母座,同轴旋转自锁紧连接器 ZLC型,母座,同轴旋转自锁紧连接器,适用于连接涡流传感器探头与信号处理单元;传感器与检测设备之间传输高频信号;也可用于连接测试仪器,如阻抗分析仪或网络分析仪。 了解详情
HLT62040200R 620nH±20%,50MHz~40GHz,200mA,宽带锥形电感 频率范围:50MHz~40GHz, 电感:620nH±20%, 最大电流:200mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLT25032500R 250nH±20%,100MHz~32GHz,500mA,宽带锥形电感 频率范围:100MHz~32GHz, 电感:250nH±20%, 最大电流:500mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLT16022800R 160nH±20%,200MHz~22GHz,800mA,宽带锥形电感 频率范围:200MHz~22GHz, 电感:160nH±20%, 最大电流:800mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
HLT15038500R 150nH±20%,200MHz~38GHz,500mA,宽带锥形电感 频率范围:200MHz~38GHz, 电感:150nH±20%, 最大电流:500mA, 驻波比:≤1.25 了解详情
《高Q电容/RF功率电容 选型手册》 标准化/定制化(封装0402~4040),快速生产,高Q值、低ESR值 可做多种标准封装,包括0402~4040等详情见选型手册 可定制化,标准0402~4040封装,耐压25V~7200V以上,电容量0.1pF~12nF以上,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详情请见选型手册 了解详情
《穿心电容器/馈通滤波器 选型手册》 标准化/定制化,快速生产,焊接式/螺纹链接式,见附件 可做多类尺寸,螺纹包括M2.5、M3、M4、M5、M7、M8等详情见选型手册 耐电流2A~10A以上,耐电压50V~200V以上,容量0.1pF~1.5μF以上,可定制化,高品质、高稳定性、高性能参数,穿心电容器/馈通滤波器,详情请见选型手册 了解详情
HLT-Q4040-COG-1000V-512-J 4040封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,扩展工业级,高Q电容/RF功率电容 4040封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,额定电压1000V,电容量5.1nF的高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详细尺寸与参数见产品技术手册 了解详情
HLT-Q0402-COG-25V-820-J 0402封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,扩展工业级,高Q电容/RF功率电容 0402封装,高Q值、低ESR值,COG介质,钯银/铂银电极,额定电压25V,电容量82pF的高性能、高质量的高Q电容/RF功率电容,详细尺寸与参数见产品技术手册 了解详情
HLT-LπCE03-S10A-63V-135NJ(M6*0.75) 螺纹连接式,M6*0.75螺纹,π(PI)型电路,容量1.3μF,扩展工业级,穿心电容器/馈通滤波器 螺纹连接式,M6*0.75螺纹,树脂介质,π(PI)型电路,搭载CC52型高频穿心电容芯片,额定电流10A,额定电压63V,电容量1.3μF的高性能、高质量的穿心电容器/馈通滤波器,详细尺寸与参数见产品技术手册 了解详情
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