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产品描述 |
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| HN-DC2516-0.8(11-3.4) |
低频（馈电）单芯玻璃绝缘子（玻珠）（类型一） |
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介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-DC2016-0.5(12-3.4) |
低频（馈电）单芯玻璃绝缘子（玻珠）（类型一） |
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介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-DC2016-0.5(6-2) |
低频（馈电）单芯玻璃绝缘子（玻珠）（类型一） |
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介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-DC1216-0.45(16-2.8) |
低频(馈电)单芯玻璃绝缘子（玻珠）（类型一） |
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介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HLT75TDK6350G5-D |
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SMT（SMD）表面贴装款，超宽频10MHz~13GHz，电感量6.35μnH，额定电流440mA，锥形电感（绕线电感）！SMT (SMD) ultra wideband 10MHz~13GHz, inductance 6.35μH, rated current 440mA, tapered inductor (wound inductor). |
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| HLT24TDK250G5-A |
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SMT（SMD）表面贴装款，超宽频10MHz~40GHz，电感量250nH，额定电流375mA，锥形电感（绕线电感）！SMT (SMD) ultra wideband 10MHz~40GHz, inductance 250nH, rated current 375mA, tapered inductor (wound inductor). |
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| HLT21TDK425G5-B |
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SMT（SMD）表面贴装款，超宽频10MHz~53GHz，电感量425nH，额定电流1300mA，锥形电感（绕线电感）！SMT (SMD) ultra wideband 10MHz~53GHz, inductance 425nH, rated current 1300mA, tapered inductor (wound inductor). |
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| HN-RF2816-0.45(8-4.6) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-26.5GHz 驻波比：≤1.15 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2516-0.38(12-2)M |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-40GHz 驻波比：≤1.25 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2016-0.3(12-2.4) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-46.5GHz 驻波比：≤1.3 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2016-0.3(8-1.8)R |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-46.5GHz 驻波比：≤1.3 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF173140-0.23(5.3-1.8) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-67GHz 驻波比：≤1.4 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF4720-0.8(12.5-2.5) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-18GHz 驻波比：≤1.1 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF4720-0.8(11-2.5) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-18GHz 驻波比：≤1.1 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2520-0.38(12-5) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-40GHz 驻波比：≤1.2 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2516-0.38(8-4.6) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-40GHz 驻波比：≤1.25 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2016-0.3(8-4.6) |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-46.5GHz 驻波比：≤1.3 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-RF2014-0.3(4.4-1)R |
射频单芯玻璃绝缘子（玻珠） |
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频率范围：DC-46.5GHz 驻波比：≤1.3 插入损耗：≤0.2dB 特性阻抗：50Ω 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏≤1.013×10-3 Pa·cm3 /s 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-LPS14-0.7-2.54-2(7.5-3.5)M |
低频（馈电）联排玻璃绝缘子（玻珠）（针间距2.54mm系列） |
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金丝键合型 双联排14针 介质耐压≥300V
绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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| HN-LPS14-0.5-1.27(9.4-2.8)M |
低频（馈电）联排玻璃绝缘子（玻珠）（针间距1.27mm系列） |
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金丝键合 双联排14插针 介质耐压≥300V 绝缘电阻≥5000MΩ@500V 密封漏率：≤1.013×10-3 Pa·cm3 工作温度：-65℃- +155℃ 导体外径、高度及插针的直径、形状和长度均可按客户要求定制 |
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