7月20日消息，据外媒报道，台积电A14制程，也就是1.4nm级工艺，研发进度已经明显快于当年处于类似阶段的N2工艺。
按照规划，A14预计将在2027年进入风险试产或预生产阶段，并于2028年下半年开始量产。
与此同时，台积电将进一步投资1000亿美元(约合7200 亿元人民币)扩建在美国的晶圆厂。
据悉在美国亚利桑那州的第一座晶圆厂已经投入运营，公司表示其良率已经可以媲美中国台湾的晶圆厂。
图源：汤姆硬件
A14是台积电继N2之后的下一代先进制程，属于14埃级节点，也常被称为1.4nm级工艺。
与台积电2nm N2工艺相比，A14在相同功耗下性能可提升10%至15%；或者在相同速度下，功耗可降低25%至30%。同时，逻辑密度也有望提升约20%。
据台积电CEO魏哲家表示，A14技术研发进展顺利，内部产品样机的器件性能已经接近90%，256Mb SRAM良率也接近90%。
这个进展速度非常快。
今年4月，台积电曾披露，A14节点的晶体管性能已达到目标值的85%以上，256Mb SRAM良率超过80%。大约3个月后，这两个数字都已经接近90%。
也就是说，A14的器件性能又提升了约5个百分点，SRAM良率也提升了接近10个百分点。
图源：汤姆硬件
N2是台积电首个采用GAA环绕栅纳米片晶体管的制程。当时台积电在GAA纳米片晶体管上的量产经验还比较有限，需要从器件结构、工艺控制到良率爬坡一步步摸索。
而A14采用的是台积电第二代纳米片晶体管技术，可以直接继承N2研发和量产过程中积累下来的经验，包括晶体管设计、工艺优化、制造流程和良率控制。
简单来说，N2是台积电第一次真正把GAA做进先进制程量产；A14则是在这条路上继续升级。
需要注意的是，1.4nm并不代表晶体管的某个物理尺寸真的只有1.4纳米。
现在的制程节点，更多代表一代工艺平台的综合能力，包括晶体管结构、密度、性能、功耗、互连和制造成熟度，而不是一个简单的线宽数字。
图源：wccftech
与此同时，台积电也在继续扩大美国亚利桑那州布局。
据报道，台积电将进一步投资1000亿美元扩建亚利桑那州工厂，使其在亚利桑那州的总投资额达到2650亿美元（约合19080 亿元人民币）。
目前，台积电在亚利桑那州的第一座晶圆厂已经投入运营，公司表示其良率已经达到与台湾旗舰晶圆厂一样好的水平。
第二座晶圆厂即将开始搬入设备，第三座晶圆厂正在建设中，第四座晶圆厂以及该园区首座先进封装设施的准备工作也已经启动。
按照最新规划，台积电亚利桑那州项目最终将包括10座晶圆厂、2座先进封装设施，以及1个研发中心。
当然台积电仍在持续加码中国台湾本土投资。未来几年，公司还将在中国台湾建设13座领先制程和先进封装相关工厂。
消息数据来源：电子时报、汤姆硬件、wccftech、路透社
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