9月28日晚，长鑫科技发布公告称，公司计划使用IPO超募资金180亿元推进DRAM技术研发和产业链建设。
其中，长鑫计划投入130亿元用于技术研发项目，另外通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元资金，用于建设存储器晶圆后道测试基地二期项目。
根据公告，两个项目总投资金额分别约为241亿元和108亿元，其余资金将由公司自有资金或其他方式补足。
图源：南华早报
长鑫科技表示，DRAM行业竞争的核心在于持续推进产品和制程工艺升级。
此次技术研发项目总投资约241亿元，其中设备采购金额超过220亿元，占项目总投资九成以上。这些设备将主要用于下一代DRAM技术研发，加快工艺迭代，提升存储密度、功耗控制以及产品性能。
另一个重点项目，则是后道测试基地建设。
长鑫计划投资约108亿元建设存储器晶圆后道测试基地二期，为DRAM芯片提供测试和模组组装服务。
芯片完成制造后，还需要经过测试、筛选、封装和模组组装等环节。随着长鑫产能不断提升，如果后道测试能力不足，也可能成为限制产能释放的环节。
因此，通过建设自有测试基地，长鑫可以进一步完善从设计、制造到测试的产业链，提高供应链稳定性。
图源：长鑫科技
根据此前披露，长鑫科技IPO募集资金约666亿元，扣除发行费用后募集资金净额约663亿元。
此前，公司计划将约295亿元用于存储器晶圆制造量产线升级、DRAM技术升级以及前瞻技术研发。由于实际募集资金超过计划金额，长鑫此次使用部分超募资金投入新项目。
近年来，长鑫存储正在加速追赶全球DRAM巨头。
此前，长鑫已经实现DDR4、DDR5、LPDDR5/LPDDR5X等产品布局，并持续推进先进DRAM工艺平台升级。今年，长鑫还宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，并推出基于该平台的24Gb LPDDR5X产品。
随着研发、制造和测试能力不断增强，长鑫正在进一步完善DRAM产业链布局。
消息数据来源：长鑫存储
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